NTC Class B Exam - Element 6 日本語翻訳版

1 抑制グリッドを持つ真空管は何か。
Ans ペントード（Pentode）

2 黄色・緑・赤のカラーバンドを持つカーボン抵抗の値は
Ans 4500オーム

3 400 uF と 600 uF のコンデンサを直列接続した場合の合成容量は
Ans 240 uF

4 三極管増幅器において、プレート抵抗を一定に保った場合のプレート電流変化とグリッド電圧変化の比は
Ans 真空管の相互コンダクタンス（transconductance）

5 90 mH の同一インダクタ3個を並列接続した場合の合成インダクタンスは
Ans 30 mH

6 フィラメント、アノード、カソード、制御グリッドを持つ真空管は
Ans 三極管（triode）

7 真空管増幅器の増幅率を示す記号は
Ans μ（MU）

8 RFスイッチとして一般的に使用されるダイオードは
Ans PINダイオード

9 シリコン制御整流器（SCR）の3端子はアノード、カソード、および
Ans ゲート

10 電圧安定回路で通常使用されるダイオードは
Ans ツェナーダイオード

11 理想ダイオードの順方向抵抗は
Ans ゼロ

12 負性抵抗を持つダイオードは
Ans トンネルダイオード

13 フィラメント、カソード、アノードを持つ真空管は
Ans ダイオード

14 フィラメント、カソード、アノード、制御グリッドを持つ真空管は
Ans 三極管

15 レイリーフェージングは次の伝搬で1分間に数回発生する。
Ans 対流圏散乱（troposcatter）

16 30 H と 60 H のインダクタを並列接続した場合の合成インダクタンスは
Ans 20 H（レビューでは15と記載）

17 40 uF と 60 uF のコンデンサを直列接続した場合の合成容量は
Ans 24 uF

18 トランジスタのベータとは
Ans 電流増幅率

19 1000 kHz のサブハーモニックは
Ans 500 kHz

20 絶縁基板の片面または両面に導電パターンを形成した回路は
Ans プリント回路（printed circuit）

21 3 dB点は別名
Ans 半値点（half-power points）

22 350 pF のコンデンサを 1200 kHz で動作させた場合の容量リアクタンスは
Ans 379オーム

23 500 uH のインダクタンスと 400 pF の容量を持つ直列回路の共振周波数は
Ans 356 kHz

24 P型半導体の多数キャリアは
Ans 正孔（hole）

25 N型半導体の多数キャリアは
Ans 電子（electron）

26 内部容量が大きいため低周波で使用されるダイオードは
Ans 接合型（junction）

27 半導体回路においてコレクタ電流とベース電流の比は
Ans ベータ（Beta）

28 N型半導体の少数キャリアは
Ans 正孔（holes）

29 RFスイッチとして一般的に使用される半導体ダイオードは
Ans PINダイオード

30 負性抵抗領域を持つ半導体ダイオードは
Ans トンネルダイオード

31 電子の流れを制御できる半導体電子部品は
Ans 固体素子（solid-state device）

32 真空管と比較した半導体の欠点は
Ans 耐熱性が低い

33 ゲルマニウムにガリウムをドーピングすると
Ans 正孔電流が発生する

34 固体ランプは別名
Ans LED

35 エミッタフォロワ増幅回路は別名
Ans コモンコレクタ（common-collector）

36 バラクタとは何か。
Ans 可変容量ダイオード（variable capacitor diode）

37 フォトジャンクション素子とは何か。
Ans 光や熱が当たると導電性が増加する固体素子

38 トランジスタの3つの基本部分はベース、コレクタ、および
Ans エミッタ

39 非常に有用な半導体はゲルマニウムと
Ans シリコン

40 ツェナーダイオードとは
Ans アバランシェ電圧で動作するダイオード

41 真空管に対するトランジスタの最大の利点は
Ans 小型であること